类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.7mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerSO-10

BUK9Y59-60E115 具有出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了能效，适用于高功率密度设计。该器件采用了恩智浦的TrenchMOS技术，使沟道结构更加优化，提升了开关性能和电流处理能力。
　　此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　该器件的栅极设计支持快速开关操作，减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高压瞬态条件下的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计复杂性。
　　封装方面，BUK9Y59-60E115 采用PowerSO-10封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于PCB布局和自动化装配。此外，该封装符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设计。

BUK9Y59-60E115 适用于多种高功率和高效率的应用场景，包括但不限于：汽车电子系统（如DC-DC转换器、车载充电器、电动助力转向系统）、工业电源（如服务器电源、UPS不间断电源、工业电机驱动）、电信设备电源管理、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、负载开关控制以及高功率LED照明驱动电路。
　　在汽车应用中，该器件常用于48V轻混动力系统中的功率转换模块，支持更高的能量效率和更紧凑的系统设计。
　　在工业控制领域，BUK9Y59-60E115 可作为主功率开关用于高效能电源供应器或电机控制电路中，提供稳定的电流控制和出色的热管理能力。
　　此外，由于其快速开关特性和低导通损耗，该器件也适用于需要高频工作的谐振转换器和同步整流电路。

STP115N6F6AG, IPP115N6N3G, FDP115N60