电容值：47nF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C, ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（X7R类II）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖
　　老化特性：典型值≤2.5%/decade
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（需查具体曲线）
　　工作频率范围：适用于1MHz以下中频应用
　　抗湿性：符合IEC 60068-2-60标准
　　可焊性：符合JIS C 5201-1标准
　　机械强度：抗弯曲 cracking 设计优化

UVK1A473MRD所采用的X7R型陶瓷介质赋予了其优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C的宽温度区间内，电容值的变化控制在±15%以内，这使其能够在严苛环境条件下保持电路性能的一致性。这种稳定性来源于其铁电陶瓷材料配方，在不同温度下晶格结构变化较小，从而减少了介电常数波动。相比Y5V或Z5U等其他II类介质，X7R在温度稳定性和介电常数之间取得了良好平衡，适合大多数去耦和滤波用途。
　　该电容器具备出色的直流偏压特性，尽管所有高介电常数的MLCC都会因外加直流电压而导致有效电容下降，但松下通过优化内部叠层结构和介质厚度设计，尽可能减缓这一效应。在实际使用中，即使施加接近额定电压的直流偏置，其剩余电容仍能维持在初始值的60%-70%左右，确保电源轨的去耦效果不显著劣化。这对于现代低压大电流数字系统尤为重要，例如为FPGA、ASIC或微处理器供电的旁路网络。
　　机械方面，UVK1A473MRD采用了抗弯曲开裂（Flex Cracking Resistant）结构设计，其内部电极与外部端子之间引入了缓冲层或梯度结构，能够有效吸收PCB弯曲或热应力引起的形变，防止因机械应力导致的内部裂纹进而引发短路或漏电流增加。这一特性极大提升了产品在手持设备、汽车电子和工业控制设备等振动或频繁温变环境下的可靠性。
　　此外，该器件具有良好的高频响应能力，得益于其较小的封装尺寸（0805）带来的低等效串联电感（ESL）和较低的等效串联电阻（ESR），可在数十MHz频率范围内有效滤除噪声。虽然不如更小尺寸如0402或0201的电容高频性能优越，但在功率级去耦和中频滤波中仍表现出色。同时，其表面贴装形式便于自动化贴片生产，提高组装效率并降低制造成本。

UVK1A473MRD广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子系统中。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器输入输出端的滤波电容，以平滑开关噪声并稳定电压输出。由于其100V额定电压等级，特别适用于中高压电源模块，例如工业PLC、通信基站电源板或LED驱动电路中的中间级滤波环节。
　　在模拟信号处理电路中，该电容器可用于耦合、去耦和旁路功能，比如音频放大器的级间耦合或运算放大器的电源去耦，帮助抑制电源纹波对敏感信号路径的影响。其X7R材质保证了在整个工作温度范围内增益和频率响应的稳定性，避免因电容漂移造成系统失调。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，UVK1A473MRD可用于主控芯片周围的局部去耦网络，尤其是在那些对空间布局有一定宽容度但仍需较高耐压的设计中。此外，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，该器件凭借其宽温特性和高可靠性，满足AEC-Q200等车规级认证要求（需确认具体批次是否通过），成为可靠的被动元件选择。
　　工业控制设备如变频器、伺服驱动器和传感器接口电路也大量使用此类电容器进行信号滤波和瞬态抑制。在这些环境中，电磁干扰较强且工作温度波动大，UVK1A473MRD的稳健性能可保障系统长期稳定运行。最后，在医疗仪器、测试测量设备和通信基础设施中，该器件同样发挥着关键作用，支持高精度和高可用性的系统设计。