频率范围：DC-4000 MHz
　　输出功率：125 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　漏极电流：3.5 A（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：60% 以上
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装类型：螺栓式金属封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RF5238SR 的核心特性之一是其基于 GaN 技术的高电子迁移率晶体管结构，使其在高频下仍能保持出色的功率放大性能。该器件采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅基板上）工艺制造，具有优异的热传导性能，能够承受较高的工作温度并保持稳定性。其高功率密度特性使得设计者可以在较小的物理空间内实现更大的输出功率，同时减少散热器的尺寸和重量。
　　此外，RF5238SR 提供了良好的线性度和高增益，这对于需要高保真信号放大的通信系统尤为重要。其漏极电流和电压额定值支持在连续波（CW）和脉冲模式下工作，适应多种应用需求。该器件的输入和输出端口采用 50Ω 阻抗匹配设计，简化了与外围电路的连接。
　　该晶体管还具备较高的抗失真能力，适合用于现代无线通信系统中对信号完整性要求较高的场景，如 LTE、WiMAX 和数字广播等。同时，其高效率特性有助于降低整体系统的功耗和运营成本。

RF5238SR 主要应用于无线通信基础设施中的高功率射频放大器，如蜂窝基站（包括 4G LTE 和 5G 前向兼容系统）、数字广播发射器和雷达系统。它也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的高功率射频设备，如射频加热、等离子体发生器和测试测量仪器中的功率放大模块。
　　在基站系统中，RF5238SR 可用于主放大器或驱动放大器，提供高线性度和稳定输出功率，满足多载波通信系统对信号质量的高要求。此外，该器件在军事和航空航天领域的雷达系统中也有广泛应用，特别是在需要高功率脉冲输出的场景中表现优异。
　　由于其高可靠性和耐高温能力，RF5238SR 也适用于恶劣环境下的长期运行设备，如远程通信站和海上通信系统。

Qorvo 的 RF5238SR 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40120 和 NXP 的 AFT05MS004N。这些 GaN HEMT 功率晶体管在性能参数和应用领域上与 RF5238SR 类似，适用于高功率射频放大器设计。具体选型需根据系统要求进行详细评估。