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IRLHS6242TRPBF 发布时间 时间:2025/6/22 14:10:32 查看 阅读:4

IRLHS6242TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的增强型 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET。该器件采用了 Trench 技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于高效率开关应用。
  其封装形式为 TO-263-3 (D2PAK),适合表面贴装工艺,并且在汽车级应用中表现出色,工作温度范围广,符合 AEC-Q101 标准。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:89A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:78nC
  总功耗:245W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRLHS6242TRPBF 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 2.2mΩ,从而减少了传导损耗。
  2. 高电流处理能力,能够承受高达 89A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷(Qg=78nC)。
  4. 工作温度范围宽泛,能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端环境下稳定运行。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛环境下的可靠性。
  6. 封装为 TO-263-3(D2PAK),支持高效的散热设计和表面贴装技术(SMT)。
  7. 增强的安全工作区(SOA),可应对瞬态过载情况。

应用

IRLHS6242TRPBF 广泛应用于需要高效率、高电流和低导通损耗的场景,包括但不限于:
  1. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
  2. DC/DC 转换器和降压斩波电路。
  3. 大功率 LED 照明驱动。
  4. 开关电源(SMPS)和逆变器。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
  6. 工业自动化控制中的固态继电器和负载开关。
  7. 通信设备中的功率管理模块。

替代型号

IRLDS6242TRPBF, IRLHS6242DPBF

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IRLHS6242TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.7 毫欧 @ 8.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.98W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-PowerVDFN
  • 供应商设备封装6-PQFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)