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2SK2652-01 发布时间 时间:2025/8/9 18:36:27 查看 阅读:30

2SK2652-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统等应用。其封装形式为SOP(小型封装),具有较高的集成度和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:2A
  最大漏-源电压:30V
  最大栅-源电压:20V
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值)
  功率耗散:2W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOP-8

特性

2SK2652-01 具有以下几个显著的性能特点:
  首先,其低导通电阻(Rds(on))为0.15Ω,这意味着在导通状态下能够提供较低的压降和功耗,从而提高电源转换效率。这对于需要高能效的电源管理电路尤为重要。
  其次,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM(脉宽调制)控制器。高速开关特性有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而减小整体电路的体积。
  第三,2SK2652-01 采用SOP-8封装,具有良好的热管理和机械稳定性。SOP封装便于自动化装配,适用于SMT(表面贴装技术)工艺,适合现代电子制造流程。
  此外,该器件具备较高的耐压能力,最大漏-源电压可达30V,适用于多种中低电压功率应用。同时,其最大栅-源电压为20V,具有较好的抗过压能力,提高了使用安全性。
  该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在较宽的环境温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子系统等要求较高的应用场景。
  最后,2SK2652-01 的设计使其具有良好的短路耐受能力和抗干扰能力,增强了其在复杂电磁环境中的可靠性和稳定性。

应用

2SK2652-01 的典型应用包括但不限于以下几个方面:
  在电源管理方面,该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路中,以实现高效的能量转换和管理。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效提高电源转换效率并减小电路尺寸。
  在电机驱动领域,2SK2652-01 可用于小型电机或继电器的控制电路中,作为开关元件使用。其高耐压和良好的热稳定性确保了在频繁开关操作下的可靠性。
  在电池供电设备中,如便携式电子产品、智能手表和无线传感器网络节点,该MOSFET可用于电池保护电路或电源切换电路中,实现对电池能量的高效利用和管理。
  此外,2SK2652-01 还可用于LED驱动电路、音频放大器以及各种需要低电压控制的功率开关应用中,提供稳定可靠的性能支持。
  在工业自动化控制系统中,它也可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的输出驱动模块,实现对执行机构(如电磁阀、继电器等)的控制。

替代型号

2SK2652-01L, 2SK2652-01R, 2SK2652-01X

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