时间：2025/5/19 8:48:45
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DMN601VKQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay 公司的 Siliconix 系列。该器件采用 SuperSOT-23 封装，适用于低电压和高效率应用场合。
DMN601VKQ 的设计使其非常适合于需要紧凑封装、低导通电阻和高效能转换的应用，例如便携式设备中的负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电产品中的电源管理等。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.54Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：170mW
结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN601VKQ 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功率损耗。
2. SuperSOT-23 封装非常小巧，适合空间受限的设计。
3. 高速开关性能使得它能够适应高频应用。
4. 较高的工作温度范围，确保其能够在恶劣环境中稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内部二极管保护功能可以防止反向电流造成的损坏。
这些特性使 DMN601VKQ 成为许多小型化、低功耗电子产品的理想选择。
DMN601VKQ 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源管理，例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
2. DC/DC 转换器和 POL（Point of Load）调节器。
3. 开关模式电源（SMPS）和电池充电器。
4. 各种负载开关和信号切换电路。
5. 电机驱动和 LED 驱动电路。
由于其出色的性能和小尺寸，这款 MOSFET 在各种便携式和空间受限的系统中表现尤为突出。
DMN299LFG, BSS138, AO3400
