类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：5.3A
　　导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：27mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSSOP8

PMN45EN,165 具备多项优良特性，适用于多种功率控制场景。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V时仅为22mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下，其导通电阻仍保持在可接受的范围内（27mΩ），使其适用于低压控制电路。
　　其次，PMN45EN,165 的漏源电压额定值为30V，连续漏极电流可达5.3A，具备良好的电流承载能力，适用于中等功率的开关应用。
　　该器件的封装形式为TSSOP8，具有较小的体积和良好的热性能，适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，其工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种工业和汽车电子应用场景。
　　PMN45EN,165 还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。
　　综上所述，PMN45EN,165 在导通性能、热稳定性、封装尺寸和驱动兼容性方面均表现出色，是一款适用于多种功率管理应用的高性能MOSFET。

PMN45EN,165 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，实现高效能的能量转换和管理。
　　2. 电池供电设备：由于其低导通电阻和低功耗特性，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源控制电路。
　　3. 电机控制：用于小型电机驱动电路中，实现精确的速度和方向控制。
　　4. 工业自动化：用于PLC、传感器和执行器等工业控制设备中的开关和功率调节电路。
　　5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块和LED照明驱动等汽车应用，满足汽车电子对可靠性和温度适应性的高要求。
　　6. 通信设备：用于通信模块中的电源管理和信号切换电路，确保设备的稳定运行。

Si2302DS, TPC8104, AO4406A, BSS138K