工作电压：5.0 V
　　最大反向工作电压（VRWM）：5.0 V
　　击穿电压（VBR）：最小5.5 V（典型值6.0 V）
　　钳位电压（VC）：最大13.3 V（在IPP=1.38 A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.38 A
　　浪涌电流能力（8x20μs波形）：24 A
　　电容（C）：典型值为15 pF
　　封装类型：SOT-23

ESDBL5V0AH1具备多项优异特性，适用于需要高水平ESD保护的应用场景。首先，其双向保护结构可有效应对正负双向的瞬态电压事件，适用于交流信号线路或双向数据接口。其次，该器件的钳位电压较低，确保在发生ESD事件时将电压限制在安全范围内，从而减少对后端电路的损害。此外，该ESD保护二极管具有非常快的响应时间，能够在纳秒级别内启动保护机制，适用于高速数据传输线路，如USB、HDMI和以太网接口。
　　另一个显著特点是其低电容特性（典型值为15 pF），这对于高速信号完整性至关重要，确保在保护电路的同时不会对信号质量造成明显影响。同时，ESDBL5V0AH1能够承受IEC 61000-4-2标准中规定的最高级别（Level 4）的静电放电冲击，即接触放电±8 kV和空气放电±15 kV，适用于工业和消费类电子设备中对可靠性要求较高的场景。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在宽温度范围内稳定工作（通常为-55°C至+150°C），适合各种严苛环境下的应用。SOT-23的小型封装设计使其非常适合在空间受限的PCB布局中使用，同时支持自动贴片工艺，提高了制造效率。

ESDBL5V0AH1广泛应用于各类需要静电放电保护的电子设备中，特别是在高速数据通信接口和便携式电子产品中。常见应用包括USB 2.0和USB 3.0接口保护、HDMI、DisplayPort、以太网接口、音频/视频信号线路、SD卡插槽、移动电话、平板电脑、笔记本电脑和工业控制设备等。由于其具备低电容和高速响应特性，特别适合用于保护敏感的CMOS和TTL电路，以及用于通信模块中的信号线路保护。

NUP2105L, ESD9C5.0ST5G, PESD5V0S1BA, TPD3E081