时间：2025/8/15 14:25:48
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RF5228ATR123-5K 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频功率晶体管，设计用于高频、高功率的射频应用。该器件采用先进的 GaAs（砷化镓）技术制造，适用于无线基础设施、基站、广播系统和其他高性能射频功率放大器场合。该晶体管具有高线性度和高效率的特点，适合在多载波通信系统中使用。RF5228ATR123-5K 采用表面贴装封装，便于集成到现代通信设备中。
频率范围：800 MHz - 2.8 GHz
输出功率：28 dBm（典型值）
增益：约12 dB（典型值）
电源电压：+5 V
静态电流：约120 mA
输入驻波比（VSWR）：2:1（最大值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF5228ATR123-5K 的主要特性之一是其宽频率覆盖能力，能够在从 800 MHz 到 2.8 GHz 的范围内稳定工作，使其适用于多种无线通信标准，包括 GSM、WCDMA、LTE 等。该器件采用 GaAs FET 技术，具有出色的线性度和高效率，能够在复杂调制信号下保持良好的信号完整性，减少失真和互调干扰。
此外，该晶体管的+5 V 单电源供电设计简化了电源管理电路，降低了系统的复杂性和成本。其静态电流为 120 mA 左右，适合中等功率应用，同时在工作温度范围 -40°C 至 +85°C 内保持稳定性能，适应工业级环境条件。
RF5228ATR123-5K 广泛应用于多种射频和微波系统中，特别是在无线通信基础设施领域。该器件常用于基站功率放大器模块，支持 GSM、WCDMA 和 LTE 等多种通信标准。在这些系统中，它用于放大上行和下行链路信号，确保信号在长距离传输中保持足够的强度和清晰度。
RF5226ATR123-5K, RF5229ATR123-5K
