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RF03N1R1A250CT 发布时间 时间:2025/6/27 14:02:35 查看 阅读:7

RF03N1R1A250CT是一款射频功率晶体管,专为高频应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高线性度和出色的射频性能,适用于无线通信系统中的功率放大器模块。其工作频率范围宽,能够满足多种现代通信标准的需求,例如蜂窝基站、雷达系统以及其他高性能射频设备。

参数

型号:RF03N1R1A250CT
  封装形式:TO-263
  额定功率:250W
  工作频率范围:800MHz 至 2.7GHz
  最大集电极电流:10A
  最大集电极-发射极电压:50V
  典型增益:15dB
  输出三阶交调截点(OIP3):48dBm
  效率:高达60%
  热阻(结到壳):1°C/W

特性

RF03N1R1A250CT具备卓越的高频性能和可靠性。它采用了创新的散热设计,确保在高功率操作条件下仍能保持稳定的工作状态。
  该晶体管还具有良好的线性度表现,能够在宽带应用中提供高质量的信号放大效果。同时,其低噪声特性和高效率使其成为射频功率放大部分的理想选择。
  此外,RF03N1R1A250CT支持表面贴装技术(SMT),有助于简化生产流程并降低组装成本。
  这款晶体管经过严格的质量测试,符合国际电子元器件标准,可长期在恶劣环境下可靠运行。

应用

RF03N1R1A250CT广泛应用于各种射频功率放大场景,包括但不限于:
  1. 蜂窝基站中的功率放大器模块
  2. 雷达系统的信号发射与接收
  3. 点对点微波通信链路
  4. 测试与测量仪器中的信号生成部分
  5. 广播及卫星通信设备中的功率放大级
  由于其宽泛的工作频率范围和高效率,该晶体管特别适合需要高功率输出且要求紧凑设计的应用场合。

替代型号

RF03N1R1A200CT, RF03N1R1B250CT

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RF03N1R1A250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.13578卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.1 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-