RF03N1R1A250CT是一款射频功率晶体管,专为高频应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高线性度和出色的射频性能,适用于无线通信系统中的功率放大器模块。其工作频率范围宽,能够满足多种现代通信标准的需求,例如蜂窝基站、雷达系统以及其他高性能射频设备。
型号:RF03N1R1A250CT
封装形式:TO-263
额定功率:250W
工作频率范围:800MHz 至 2.7GHz
最大集电极电流:10A
最大集电极-发射极电压:50V
典型增益:15dB
输出三阶交调截点(OIP3):48dBm
效率:高达60%
热阻(结到壳):1°C/W
RF03N1R1A250CT具备卓越的高频性能和可靠性。它采用了创新的散热设计,确保在高功率操作条件下仍能保持稳定的工作状态。
该晶体管还具有良好的线性度表现,能够在宽带应用中提供高质量的信号放大效果。同时,其低噪声特性和高效率使其成为射频功率放大部分的理想选择。
此外,RF03N1R1A250CT支持表面贴装技术(SMT),有助于简化生产流程并降低组装成本。
这款晶体管经过严格的质量测试,符合国际电子元器件标准,可长期在恶劣环境下可靠运行。
RF03N1R1A250CT广泛应用于各种射频功率放大场景,包括但不限于:
1. 蜂窝基站中的功率放大器模块
2. 雷达系统的信号发射与接收
3. 点对点微波通信链路
4. 测试与测量仪器中的信号生成部分
5. 广播及卫星通信设备中的功率放大级
由于其宽泛的工作频率范围和高效率,该晶体管特别适合需要高功率输出且要求紧凑设计的应用场合。
RF03N1R1A200CT, RF03N1R1B250CT