RF4E110BN 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频放大应用设计。该器件采用了先进的硅双极性晶体管技术,具有高增益、高效率和出色的线性度特性。其典型工作频率范围覆盖了甚高频(VHF)到特高频(UHF),广泛适用于广播、通信以及工业加热等领域。
RF4E110BN 在设计时考虑了高可靠性要求,并优化了热性能以支持长时间稳定运行。此外,它还具备良好的阻抗匹配能力,能够轻松集成到各种射频系统中。
型号:RF4E110BN
类型:NPN 射频功率晶体管
集电极-发射极电压:65 V
集电极最大电流:7.5 A
连续波输出功率:250 W
频率范围:30 MHz 至 120 MHz
增益:12 dB
封装形式:TO-247
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
RF4E110BN 具有以下显著特性:
1. 高输出功率:在指定频率范围内可提供高达 250W 的连续波输出功率。
2. 稳定性好:即使在较宽的工作温度范围内也能保持稳定的性能表现。
3. 高效率:通过优化设计实现了较高的能量转换效率,降低了功耗和热量产生。
4. 良好的线性度:适用于对信号失真敏感的应用场合。
5. 优异的散热性能:采用大尺寸金属封装,便于安装散热器以提高散热效果。
6. 宽带操作:支持从 30 MHz 到 120 MHz 的频率范围,满足多种射频应用场景的需求。
RF4E110BN 广泛应用于以下领域:
1. 广播设备:如 FM 和 AM 广播发射机中的功率放大级。
2. 无线通信:包括移动通信基站、卫星通信终端等需要高功率射频放大的场合。
3. 工业加热:用于感应加热、等离子体生成等需要射频能量供应的工业过程。
4. 医疗设备:如射频治疗仪和其他依赖于精确射频控制的医疗仪器。
5. 测试与测量:为信号发生器、频谱分析仪等测试设备提供功率放大功能。
RF4E110AN, RF4E111BN, MRF411