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R1113Z331B-TR-F 发布时间 时间:2025/12/28 5:24:57 查看 阅读:51

R1113Z331B-TR-F是一款由Nisshinbo Micro Devices Inc.(日本新光微电子)生产的高精度、低功耗、正电压输出的CMOS型电压稳压器(LDO)。该器件属于R1113Z系列,专为需要稳定电源供应和低静态电流的应用而设计。R1113Z331B-TR-F采用小型DFN(PLP)1515-6封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该LDO具有固定输出电压3.3V,输出电压精度高达±1%,确保系统在各种负载和输入条件下都能获得稳定的供电。其内部集成了过流保护和热关断功能,提高了系统的安全性和可靠性。此外,该器件无需外接补偿电容,简化了外围电路设计,降低了整体成本和PCB面积。R1113Z331B-TR-F采用先进CMOS工艺制造,具备出色的噪声抑制能力和快速的瞬态响应性能,适合为微控制器、传感器、无线模块等敏感电路提供干净的电源。

参数

工作输入电压范围:1.8V ~ 5.5V
  输出电压:3.3V(精度±1%)
  最大输出电流:300mA
  静态电流:典型值2.0μA(待机模式下更低)
  关断电流:≤0.1μA
  输出电压温度系数:±100ppm/°C
  线路调整率:±0.05%/V
  负载调整率:±1.0%
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:DFN(PLP)1515-6(1.5×1.5mm)
  引脚数:6
  是否需要外接补偿电容:否
  保护功能:过流保护、热关断

特性

R1113Z331B-TR-F的核心优势在于其超低静态电流与高输出精度的完美结合,使其特别适用于电池供电的便携式设备。该器件在正常工作状态下静态电流仅为2.0μA,极大地延长了电池使用寿命,尤其适合物联网终端、可穿戴设备和无线传感器网络等对能效要求极高的应用场景。其内部采用CMOS结构,具备极低的自身功耗,同时保证了良好的热稳定性。该LDO的输出电压精度达到±1%,即便在输入电压波动或环境温度变化的情况下,也能为后级电路提供高度稳定的电源,避免因电压不稳导致的系统异常或数据错误。
  R1113Z331B-TR-F具备出色的动态响应能力,在负载电流快速变化时仍能维持输出电压的稳定,有效抑制电压跌落或过冲现象。这得益于其内部高速误差放大器和优化的反馈环路设计。此外,该器件内置软启动功能,可防止上电过程中产生过大的浪涌电流,从而保护输入电源和负载电路。其集成的过流保护和热关断功能可在输出短路或过载情况下自动切断输出,防止芯片损坏,提升系统安全性。
  该LDO采用无外接补偿电容的设计,显著简化了外围电路,仅需输入和输出陶瓷电容即可稳定工作,推荐电容值为0.47μF或以上。这不仅减少了元件数量和PCB占用面积,还降低了设计复杂度和物料成本。DFN(PLP)1515-6封装具有优良的散热性能和机械强度,支持回流焊工艺,适用于自动化大规模生产。R1113Z331B-TR-F符合RoHS环保标准,无铅无卤,满足现代电子产品对绿色环保的要求。

应用

R1113Z331B-TR-F广泛应用于各类低功耗、小型化电子设备中。典型应用包括便携式消费类电子产品,如智能手环、智能手表、TWS耳机、电子标签等,为其内部的微控制器(MCU)、传感器模块和无线通信芯片(如蓝牙BLE、ZigBee)提供稳定可靠的电源。在工业自动化领域,该器件可用于无线传感节点、远程监控终端和低功耗仪表,确保长时间运行下的电源稳定性。
  在医疗电子设备中,如便携式血糖仪、体温计、心率监测仪等,R1113Z331B-TR-F凭借其低噪声和高精度特性,能够为精密模拟电路和ADC提供干净的参考电压,提升测量准确性。此外,该LDO也适用于智能家居设备,例如智能门锁、温控器、烟雾探测器等,这些设备通常依赖电池供电且要求长期免维护,因此对电源管理芯片的效率和可靠性有极高要求。
  在物联网(IoT)边缘设备中,R1113Z331B-TR-F可为Wi-Fi模组、LoRa模块或NB-IoT通信单元提供辅助电源调节,确保射频信号传输的稳定性。其小尺寸封装也便于在紧凑型PCB布局中使用,适应高密度集成需求。此外,该器件还可用于备用电源系统、实时时钟(RTC)供电电路以及任何需要从较高电压源降压至3.3V并保持低功耗运行的场景。

替代型号

XC6206P332MR-G
  ME6211C33M5G-N
  RT9193-33GB
  XC6221A33MR-G
  AP2112K-3.3

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