时间：2025/8/22 1:26:02
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ACA2429P2 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动、LED照明以及工业控制等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。该MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于中高功率的开关应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：120A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
ACA2429P2 MOSFET具备低导通电阻特性，使其在高电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少散热设计的复杂度。该器件的高栅极电压耐受能力（±20V）确保其在各种驱动条件下具有良好的稳定性与可靠性。
此外，ACA2429P2采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其内部结构优化设计有效降低了开关损耗，提高了整体能效，适用于高频开关应用。
该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感反冲情况下提供更强的器件保护，从而提升系统的鲁棒性。同时，其优异的热稳定性使其在高温环境下仍能稳定工作，适用于工业级应用场景。
该器件广泛应用于各类电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制、LED照明驱动电源、逆变器、UPS不间断电源等。此外，ACA2429P2也可用于电动工具、电动车控制器、智能家电和工业自动化设备中作为高效开关器件使用。
在电动汽车和储能系统中，该MOSFET可用于高压电池组的充放电管理电路，提供高效可靠的功率控制方案。同时，其低导通电阻和高电流能力也使其成为高功率LED照明系统中理想的功率开关器件。
SiR182DP-T1-GE3, AOD4144, IRLB8721PBF, FDP6675, AO4406
