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IPB100N08S2L-07 发布时间 时间:2025/7/11 12:16:28 查看 阅读:14

IPB100N08S2L-07 是一款 N 沣道绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于 Infineon 的 IGBT 系列。该器件采用 TO-247 封装,适合用于高电压和大电流的应用场合,如电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)以及开关电源等。这款 IGBT 具有低导通损耗和快速开关特性,能够在高频工作条件下提供高效能表现。
  该型号中的具体参数表明其额定电压为 800V,额定电流为 100A,同时集成了软恢复二极管以优化开关性能。

参数

额定电压:800V
  额定电流:100A
  最大集电极-发射极电压(Vce):800V
  最大栅极-发射极电压(Vge):±20V
  最大集电极电流(Ic):100A
  最大功耗(Ptot):215W
  热阻(结到壳):0.23 K/W
  开关频率范围:高达 20kHz

特性

1. 高效的开关性能,能够显著降低开关损耗。
  2. 内置快速软恢复二极管,有助于减少开关噪声和电磁干扰。
  3. 低 Vce(on) 特性,降低了导通时的能量损耗。
  4. 高度可靠的短路耐受能力,确保在异常情况下仍能正常运行。
  5. 优异的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  6. TO-247 封装设计,便于散热和安装,适合工业级应用需求。
  7. 支持宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于恶劣环境下的操作。

应用

1. 工业电机驱动和控制系统。
  2. 太阳能逆变器及风能转换系统。
  3. 不间断电源(UPS)设备。
  4. 开关模式电源(SMPS)。
  5. 电动汽车牵引逆变器。
  6. 焊接设备和感应加热系统。
  7. 任何需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

IPB100N08S2L-08, IPP100N08S2L

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IPB100N08S2L-07参数

  • 数据列表IPB,IPP100N08S2L-07
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 80A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs246nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000219053