类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：1200 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：30 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.0 Ω 最大
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ 25°C
　　输出电容（Coss）：260 pF @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：TO-247

BYX97-1200R具备多项关键特性，使其成为高压功率应用中的理想选择。首先，其1200V的高击穿电压确保了在极端电压条件下的安全运行，适用于太阳能逆变器、工业电机驱动和高压直流配电系统等场景。其次，该器件采用了优化的硅片工艺，实现了低至1.0Ω的导通电阻（RDS(on)），这不仅减少了导通状态下的功率损耗，也提高了系统的整体能效。更重要的是，这种低RDS(on)是在不牺牲开关性能的前提下实现的，使得器件在高频操作下依然保持高效。
　　另一个显著特点是其出色的开关特性。BYX97-1200R具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的复杂性和功耗。同时，较小的输入和输出电容（Ciss/Coss）有助于加快开关速度，减少开关过渡时间，进一步降低开关损耗。这对于提高DC-DC变换器或逆变器的工作频率非常有利，有助于缩小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。其最大结温可达150°C，并可在宽温度范围内保持稳定的电气性能。内部结构设计有效分散了电流密度，避免局部过热，延长了器件寿命。此外，BYX97-1200R经过严格的雪崩测试，能够在瞬态过压事件中承受一定的能量冲击，增强了系统鲁棒性。
　　封装方面，TO-247封装提供了优异的散热路径，可通过外部散热器将热量快速导出，适用于高功率密度设计。引脚布局合理，便于PCB布线和模块集成。最后，该器件具有较强的抗噪声干扰能力，其阈值电压范围适中，可有效防止误触发，提升系统运行的稳定性与安全性。

BYX97-1200R广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它常用于DC-AC转换的主开关管，凭借其高耐压和低导通损耗特性，显著提升了逆变效率，并支持更高的系统输出功率。在不间断电源（UPS）和通信电源系统中，该器件可用于PFC（功率因数校正）升压级或半桥/全桥拓扑结构，帮助实现高功率因数和低总谐波失真（THD）。
　　在工业电机驱动领域，BYX97-1200R适用于中小功率的变频器设计，特别是在需要高压母线供电的应用中表现突出。其快速开关能力和良好的热管理特性，使其能够在频繁启停和负载波动条件下可靠运行。此外，在电动汽车充电桩（尤其是交流慢充和部分直流快充前端整流模块）中，该MOSFET可用于有源整流或辅助电源电路，提供高效且紧凑的解决方案。
　　该器件还常见于高压DC-DC变换器，例如用于电信设备或服务器电源中的隔离型拓扑（如相移全桥、LLC谐振变换器）。在此类应用中，BYX97-1200R的低Qg和快速恢复二极管特性有助于减少死区时间损耗，提升转换效率。同时，其抗dv/dt能力强，能有效抑制电压尖峰，减少EMI问题。
　　其他应用还包括感应加热设备、医疗电源、激光电源模块以及高压试验设备等对安全性和稳定性要求极高的场合。由于其支持并联使用，因此也可用于构建更高电流容量的功率模块，满足多样化的设计需求。

IXFH7N120P3
　　FGL80N120ANTD
　　STGF8NC120HD
　　HGTG8N120CND