时间：2025/12/25 11:03:21
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RF4E080BNTR是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高性能的电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性等优点，适用于多种现代电子设备中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用场景。RF4E080BNTR封装在小型化且具有良好散热性能的PowerPAK SO-8封装中，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。其额定电压为30V，适合用于低压电源轨控制场合，在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及工业控制模块中得到广泛应用。
作为一款优化后的功率MOSFET，RF4E080BNTR在栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）方面进行了平衡设计，以降低开关损耗并提高能效。同时，它具备良好的抗雪崩能力和稳健的可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证标准，使其不仅可用于工业级环境，也可应用于对安全性要求较高的车载电子系统。此外，该器件符合RoHS环保规范，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。
型号：RF4E080BNTR
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大连续漏极电流（ID）：17 A
最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：68 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：8.0 mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：10.5 mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5 V：14.0 mΩ
阈值电压VGS(th) typ：1.4 V
输入电容Ciss：1190 pF
输出电容Coss：375 pF
反向传输电容Crss：80 pF
总栅极电荷Qg typ @ 10 V：18 nC
开启延迟时间td(on)：10 ns
关断延迟时间td(off)：18 ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8
RF4E080BNTR采用瑞萨先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，典型值在VGS=10V时仅为8mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性特别适用于大电流、低电压的应用场景，例如同步整流DC-DC变换器和负载开关电路，能够有效减少发热，延长设备使用寿命。同时，由于其在较低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻（如在4.5V时为10.5mΩ），因此兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
该器件具有出色的动态性能表现，输入电容（Ciss）为1190pF，输出电容（Coss）为375pF，反向传输电容（Crss）仅为80pF，这些参数共同作用使得MOSFET具备快速的开关响应能力，并有效抑制米勒效应引起的误触发问题。总栅极电荷Qg在10V驱动条件下仅为18nC，进一步降低了驱动功耗和开关损耗，提升了高频工作的可行性。开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为18ns，确保了在高频率开关应用中具备良好的可控性和稳定性。
RF4E080BNTR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备优异的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣环境条件下可靠运行。其PowerPAK SO-8封装采用无引线设计，具有更低的寄生电感和更高的散热效率，通过底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，增强热管理能力。此外，该器件通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力等严苛测试条件下均表现出色，适用于车载信息娱乐系统、车身电子控制单元等对安全性和耐久性有严格要求的应用领域。
在安全与保护方面，RF4E080BNTR具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中维持器件完整性，避免因电压尖峰导致永久损坏。同时，其栅氧化层经过优化设计，能够承受±20V的栅源电压，提供一定的过压容忍度，增强了系统的鲁棒性。综合来看，RF4E080BNTR是一款集高效、高速、高可靠性于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于工业、消费电子及汽车电子等多种高端应用场景。
广泛应用于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、便携式电子设备电源管理模块、汽车电子控制系统（如ECU、车载充电器）、工业自动化设备中的功率开关单元等。
SiR862DP, IRF7833, EUP8K080BN, AON6240
