PMEG2005AELD 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一款高效能、双共阴极肖特基整流器,主要用于电源管理和DC-DC转换应用。该器件封装在一个小型无铅DFN(Dual Flat No-lead)封装中,非常适合对空间要求严格的电路设计。PMEG2005AELD具备低正向压降和高浪涌电流能力,适用于消费类电子产品、便携式设备、计算机外围设备以及通信系统中的整流与保护电路。
类型:双共阴极肖特基整流器
最大正向电流:2 x 5A
正向压降(IF=5A):0.36V(典型值)
反向峰值电压:5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:DFN1006BD-3
PMEG2005AELD 的主要特性之一是其极低的正向压降,这有助于提高电源转换效率并减少热损耗。该器件采用双共阴极结构,使得在同步整流和DC-DC变换器中使用更为方便。其DFN封装不仅体积小巧,而且具备良好的热性能,有助于将热量有效地从芯片传导至PCB。此外,PMEG2005AELD具有高浪涌电流承受能力,使其在面对突发负载或启动电流时仍能保持稳定工作。该器件符合RoHS标准,适用于无铅生产工艺,具有良好的环保性能。
在电气特性方面,PMEG2005AELD在IF=5A时的正向压降仅为0.36V(典型值),大幅降低了功率损耗。同时,其反向漏电流在额定工作温度范围内保持在较低水平,有助于提升系统整体的稳定性。PMEG2005AELD还具备快速恢复时间,适用于高频开关应用。这些特性共同作用,使其成为高效能、高密度电源解决方案的理想选择。
PMEG2005AELD 主要应用于DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充电电路、电源管理单元、便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、穿戴设备)以及通信模块等。由于其高效能和紧凑封装的特性,特别适合用于对空间和能效要求较高的低电压系统。
PMEG2005AEC, PMEG2010AED, PMEG2010AEC, SB550