RF3514TR7 时间：2025/8/16 9:03:47 阅读：3

RF3514TR7是一款由Renesas Electronics设计的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大器应用而设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播设备以及无线基础设施应用。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装：表面贴装（SMT），7引脚金属封装
　　工作频率：高达1GHz
　　输出功率：50W（典型值）
　　漏极电压：最大32V
　　栅极电压范围：-5V至+5V
　　输入阻抗：50Ω
　　增益：20dB（典型值）
　　效率：60%以上（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

RF3514TR7具有高效率和高线性度的特点，适用于宽带射频放大器应用。其LDMOS技术提供了良好的热稳定性和较高的功率密度，使得该器件在高功率条件下仍能保持稳定的性能。该器件采用7引脚金属封装，有助于提高散热效率，并支持表面贴装工艺，适用于现代自动化生产流程。
　　此外，RF3514TR7具有良好的抗失真能力和高增益平坦度，使其在多频段和宽带应用中表现出色。其50Ω的输入阻抗设计简化了匹配电路的设计难度，同时降低了外部电路的复杂性。该器件的高工作温度上限（+150°C）确保了其在恶劣环境下的可靠运行。
　　RF3514TR7还具备良好的抗静电能力（ESD保护），并符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计要求。其宽泛的栅极电压范围（-5V至+5V）提供了灵活的偏置调节能力，方便用户根据具体应用需求优化性能。