时间：2025/5/31 0:09:44
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FV31N680J102EMG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名半导体制造商生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点。它广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化以及消费类电子产品等领域。
这款 MOSFET 的设计旨在满足高效能应用的需求，同时提供卓越的可靠性和耐用性。其封装形式通常为行业标准类型，便于集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.45Ω
栅极电荷：100nC
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FV31N680J102EMG 提供了出色的电气性能，适用于高压环境下的高效功率转换。以下是其主要特性：
1. 高耐压能力：高达 680V 的漏源电压使其非常适合高压应用，例如开关电源和逆变器。
2. 低导通电阻：0.45Ω 的典型值降低了导通损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷设计确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 强大的散热能力：优化的封装结构和宽温度范围支持使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
5. 高可靠性：通过多种质量测试认证，保证在长期使用中的稳定性。
FV31N680J102EMG 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器，提供高效的功率传输。
2. 工业控制：如电机驱动、伺服系统和可编程逻辑控制器（PLC）。
3. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）：应用于车载充电器和逆变器模块。
4. 家用电器：空调、冰箱等需要大功率驱动的设备。
5. 可再生能源：太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换部分。
6. 照明系统：LED 驱动器和高强度放电灯（HID）。
FV31N680J101EMG, IRFP460, STP15NF68
