H5MS2G22MFR-J3 时间：2025/9/2 2:07:55 阅读：12

H5MS2G22MFR-J3 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，广泛用于需要高性能和低功耗内存的设备中，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。该型号为LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2） SDRAM，采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具有较小的尺寸和较低的功耗，适合电池供电设备使用。

参数

容量：2Gb
　　类型：LPDDR2 SDRAM
　　封装：FBGA
　　电压：1.2V/1.8V
　　数据速率：最高可达1066Mbps
　　工作温度范围：-40°C至85°C
　　组织结构：x16
　　时钟频率：533MHz
　　接口类型：双倍数据速率同步接口

特性

H5MS2G22MFR-J3 是一款专为低功耗应用设计的LPDDR2 DRAM芯片。它支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）、深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和预充电掉电模式（Precharge Power-Down Mode），以延长移动设备的电池续航时间。
　　该芯片采用双倍数据速率技术，可在每个时钟周期传输两次数据（上升沿和下降沿），从而提高数据传输效率。其最大数据传输速率为1066Mbps，适用于高性能处理器和图形处理单元。
　　此外，H5MS2G22MFR-J3 采用先进的CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性，并能够在高温环境下正常工作，适应各种严苛的应用场景。
　　该器件还支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh）功能，允许用户选择部分存储区域进行刷新，从而进一步降低功耗。它还具备温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，能够根据温度变化调整刷新频率，减少不必要的能耗。