类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：300V
　　漏极电流（Id）：13A（在25°C）
　　Rds(on)：0.35Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：83W

IR3M13N4具有多个显著的技术特性，使其在功率MOSFET市场中具有较高的竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。其次，该器件具备较高的电流处理能力，在13A的额定漏极电流下依然能够保持稳定的性能。此外，IR3M13N4采用了高耐压的沟槽式结构，使其能够在300V的高压环境下稳定工作，适用于高输入电压的应用场景。
　　该器件的封装形式为TO-220，这种封装不仅提供了良好的散热性能，而且具备较高的机械强度，适合在工业级环境中使用。IR3M13N4的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其具有优异的温度适应能力，能够在极端环境条件下稳定运行。
　　IR3M13N4还具备良好的开关性能，包括较低的开关损耗和快速的响应时间，这使得它在高频开关应用中表现出色。同时，其栅极驱动电压为±20V，确保在各种控制电路中都能可靠工作。该MOSFET还具备较强的抗过载和短路能力，增强了器件的可靠性和使用寿命。

IR3M13N4广泛应用于多个领域，包括工业自动化、电源管理系统、电机驱动、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路以及汽车电子系统。在工业自动化设备中，该MOSFET常用于直流电机控制、继电器驱动和电源转换模块。在开关电源设计中，IR3M13N4可用于高效率的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器，以提升整体能效和功率密度。
　　在汽车电子方面，IR3M13N4可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等关键部件。由于其具备较高的温度耐受能力和抗干扰性能，因此在汽车环境中的稳定性和可靠性得到了广泛认可。
　　此外，在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，以实现对LED灯组的高效控制。其低导通电阻和良好的热管理能力，有助于减少系统功耗，提高灯具的使用寿命。

IPP65R045C7
　　IPW65R045C7