KIA6299H是一款双路高压大电流达林顿晶体管阵列,由Korea Electronics(KEC)公司生产。该器件集成了两个独立的达林顿晶体管对,非常适合需要高功率和高增益的应用场合。KIA6299H采用16引脚DIP封装,具有较高的集电极-发射极电压(VCEO)和较大的集电极电流(IC),适用于驱动继电器、步进电机、直流电机、LED显示屏等负载。
类型:双路达林顿晶体管阵列
封装:16引脚DIP
最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):500mA/每个晶体管
最大功耗(PD):1.2W
电流增益(hFE):约1000(典型值)
工作温度范围:-20°C至+85°C
输入引脚兼容TTL和CMOS电平
内置续流二极管保护
工作电压范围:3V至50V
KIA6299H具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种功率控制应用。其主要特性包括:
1. 双路独立达林顿晶体管:KIA6299H内部集成两个独立的达林顿晶体管对,每个通道均可独立控制,适用于多路输出控制的场合。
2. 高耐压和大电流能力:每个晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)可达50V,最大集电极电流为500mA,能够驱动中高功率负载,如继电器、电磁阀、小型电机等。
3. 高电流增益:达林顿结构使其具有极高的电流放大倍数(hFE可达到1000以上),可使用微弱的输入电流控制较大的负载电流,适用于低功耗控制电路。
4. 内置反向电动势保护二极管:每个输出通道都集成了续流二极管,有效保护器件免受感性负载(如电机、继电器)关断时产生的反向电动势损坏,提升系统可靠性。
5. 兼容TTL/CMOS输入电平:KIA6299H的输入端兼容TTL和CMOS电平,便于与微控制器、逻辑电路或单片机直接连接,简化控制电路设计。
6. 低饱和压降:在导通状态下,晶体管的集电极-发射极饱和压降较低,减少功耗并提高效率。
7. 宽工作电压范围:KIA6299H可在3V至50V的电源电压范围内正常工作,适应多种供电环境。
8. 热保护和过载保护能力:该器件具有一定的过热和过载保护能力,有助于防止因异常工况导致的损坏。
KIA6299H广泛应用于需要多路功率控制的电子系统中,主要应用场景包括:
1. 步进电机驱动:KIA6299H的双通道达林顿结构非常适合用于驱动两相步进电机,在CNC设备、3D打印机、打印机、扫描仪等设备中广泛使用。
2. 继电器控制:用于控制多个继电器线圈的通断,适用于自动化控制系统、工业PLC、智能家电等。
3. LED显示屏驱动:可作为LED显示屏的行或列驱动器,控制多个LED灯组的亮灭。
4. 电机控制:用于小型直流电机的控制,如风扇、玩具电机、机器人运动控制等。
5. 自动化控制系统:用于工业自动化设备、智能家居系统、安防系统中作为功率开关元件。
6. 电源开关控制:适用于需要多路电源控制的场合,如电池管理系统、电源分配单元等。
ULN2803A, KID65004, KID65005, TD62083APG