RF3374PCK-410 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)生产的射频(RF)功率晶体管,专为高功率射频放大器应用设计。该器件基于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术,适用于蜂窝通信基站、广播设备以及其他需要高线性度和高效率的射频系统。RF3374PCK-410 在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内工作,具备优异的热稳定性和可靠性。
频率范围:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值 700 W(连续波)
增益:23 dB(典型值)
效率:超过 40%
工作电压:+28 V
封装类型:陶瓷封装
输入驻波比(VSWR):2.5:1 最大
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
RF3374PCK-410 的核心特性包括其高输出功率、高增益和高效率,使其非常适合用于高要求的射频功率放大器系统。其 LDMOS 技术提供了出色的热稳定性和较高的耐用性,能够在高功率下长时间稳定运行。此外,该器件具有良好的线性度,适用于现代通信系统中要求高信号保真度的应用。
在热管理方面,RF3374PCK-410 采用高导热陶瓷封装,使得热量能够有效散发,确保器件在高负载下的可靠性。器件的输入和输出端口设计为宽带匹配,允许其在较宽的频率范围内工作而无需额外的外部调谐电路,从而简化了系统设计。
该晶体管还具备良好的抗失配能力,即使在负载不匹配的情况下也能维持稳定运行,降低系统设计的复杂性和成本。对于需要高稳定性和高可靠性的应用,如移动通信基站、广播设备和测试仪器,RF3374PCK-410 是一个非常理想的选择。
RF3374PCK-410 主要用于无线通信基础设施,如 4G LTE 和 5G 基站的射频功率放大器模块。它也适用于广播发射器、雷达系统、测试与测量设备以及其他需要高功率射频放大的工业和军事应用。由于其宽频带特性和高稳定性,该器件在多种高频功率放大场合中都表现出色。
NXP MRFE6VP61K25H, Cree CGH40070P, Freescale MRFE6VP61K25