2N7002CKVL是一款常用的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路和逻辑控制电路中。该器件采用SOT-23封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。2N7002CKVL通常用于低功率应用,例如驱动LED、继电器、小型电机和信号切换等场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):100mA
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):5Ω @ VGS=10V
开启电压(VGS(th)):1V ~ 3V
耗散功率(PD):300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-23
2N7002CKVL具有多个显著的电气和物理特性。首先,它具备低导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗较低,提高了电路的效率。
其次,该MOSFET的开关速度快,适用于需要快速切换的应用,例如数字电路中的信号控制。
此外,2N7002CKVL的栅极驱动电压范围较宽,支持从2.5V到10V的VGS驱动,使其兼容多种控制电路,包括5V和3.3V的微控制器系统。
由于其SOT-23封装体积小巧,因此适用于空间受限的PCB设计,并且具备良好的散热性能。
最后,该器件的高可靠性使其适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
2N7002CKVL主要应用于低功率开关电路,例如LED驱动、小型继电器控制、信号切换和逻辑电平转换。
在数字电路中,它常用于MOSFET驱动器或作为缓冲器使用。
此外,该器件也适用于电池供电设备中的电源管理模块,实现高效的电源切换与控制。
在工业自动化系统中,2N7002CKVL可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出模块,实现信号隔离和负载驱动功能。
在消费电子产品中,如智能手表、无线耳机和便携式传感器设备中,该MOSFET也常用于电源管理及信号处理模块。
2N7002E, 2N7002K, BSS138, FDV301N, 2N3904