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2N7002CKVL 发布时间 时间:2025/9/14 1:14:30 查看 阅读:30

2N7002CKVL是一款常用的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路和逻辑控制电路中。该器件采用SOT-23封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。2N7002CKVL通常用于低功率应用,例如驱动LED、继电器、小型电机和信号切换等场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):100mA
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):5Ω @ VGS=10V
  开启电压(VGS(th)):1V ~ 3V
  耗散功率(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2N7002CKVL具有多个显著的电气和物理特性。首先,它具备低导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗较低,提高了电路的效率。
  其次,该MOSFET的开关速度快,适用于需要快速切换的应用,例如数字电路中的信号控制。
  此外,2N7002CKVL的栅极驱动电压范围较宽,支持从2.5V到10V的VGS驱动,使其兼容多种控制电路,包括5V和3.3V的微控制器系统。
  由于其SOT-23封装体积小巧,因此适用于空间受限的PCB设计,并且具备良好的散热性能。
  最后,该器件的高可靠性使其适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。

应用

2N7002CKVL主要应用于低功率开关电路,例如LED驱动、小型继电器控制、信号切换和逻辑电平转换。
  在数字电路中,它常用于MOSFET驱动器或作为缓冲器使用。
  此外,该器件也适用于电池供电设备中的电源管理模块,实现高效的电源切换与控制。
  在工业自动化系统中,2N7002CKVL可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出模块,实现信号隔离和负载驱动功能。
  在消费电子产品中,如智能手表、无线耳机和便携式传感器设备中,该MOSFET也常用于电源管理及信号处理模块。

替代型号

2N7002E, 2N7002K, BSS138, FDV301N, 2N3904

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2N7002CKVL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)55 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3