时间：2025/5/14 19:07:42
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PESD2USB3SZ 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专门用于保护高速数据接口免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压的损害。该器件符合 USB 2.0 和 USB 3.0 标准，并具有超低电容特性，确保信号完整性不受影响。
它采用紧凑型封装设计，适合便携式设备和其他对空间要求严格的电子产品应用。PESD2USB3SZ 提供高 ESD 防护等级，同时保持低泄漏电流和快速响应时间。
工作电压：±4V
峰值脉冲电流：±6A
钳位电压：±10V
电容：0.8pF
响应时间：<1ns
结电容：0.8pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN1016-2
1. 符合 IEC 61000-4-2 国际标准，提供高达 ±15kV（空气放电）和 ±8kV（接触放电）的 ESD 防护能力。
2. 超低负载电容（0.8pF），非常适合高速数据线保护。
3. 快速响应时间 (<1ns)，可有效抑制瞬态电压尖峰。
4. 小型化 DFN1016-2 封装，节省 PCB 空间。
5. 双向保护设计，支持正负双向电压防护。
6. 工作温度范围广 (-55°C 至 +150°C)，适应各种环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
PESD2USB3SZ 主要应用于需要高可靠性和高性能 ESD 保护的场合，具体包括：
1. USB 2.0 和 USB 3.0 接口保护。
2. 高速数据线（如 HDMI、DisplayPort、MIPI 等）的 ESD 防护。
3. 智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中的接口保护。
4. 计算机外设（如键盘、鼠标、存储设备等）的数据线保护。
5. 工业控制和通信系统中敏感接口的保护。
PESD2CANFD
PESD2HDMI3
PESD2USB2
