类型：LDMOS RF 功率晶体管
　　工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值 125 W（连续波）
　　增益：约 20 dB
　　效率：典型值 65%
　　漏极电压：最大 32 V
　　栅极漏电流：最大 10 μA
　　封装类型：塑料封装（HSSIP-10）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RF3161TR7 具备多项优异特性，使其在射频功率放大应用中表现卓越。首先，其工作频率范围覆盖 2.3 GHz 至 2.7 GHz，适用于 4G LTE、WiMAX 及其他宽带通信系统。该器件采用 LDMOS 技术，具有高效率和高线性度，有助于降低功耗并提高系统整体能效。
　　其次，RF3161TR7 提供高达 125 W 的输出功率，在连续波（CW）模式下具有稳定的性能表现。其典型增益为 20 dB，确保信号在放大过程中保持良好的完整性。此外，该器件具有良好的热稳定性和耐用性，能够在 -40°C 至 +150°C 的宽温度范围内可靠运行。
　　封装方面，RF3161TR7 使用 HSSIP-10 塑料封装，具备优良的散热性能，同时简化了 PCB 设计并降低了制造成本。这种封装形式还支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和产品一致性。
　　总体而言，RF3161TR7 是一款高性能、高可靠性的射频功率晶体管，适用于现代通信系统中的高效功率放大需求。

RF3161TR7 主要应用于无线通信基站、WiMAX 系统、4G LTE 和 5G 前期部署中的射频功率放大器模块。其高功率输出和宽频带特性使其适用于多种无线基础设施设备，包括广播发射器、工业测试设备和雷达系统。此外，该器件也可用于无线本地环路（WLL）和多点分布服务（MMDS）等应用场景。

NXP MRF151G, STMicroelectronics STAC62K1A, Infineon BLC8G22H