Z5SMC200是一种由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET模块,专为高功率和高效率应用设计。该模块采用先进的封装技术和高性能半导体材料,具备良好的热管理和电气性能,适用于各种工业和电力电子设备。Z5SMC200通常用于高电压和高电流的开关电路中,能够承受较大的工作电流和电压冲击。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流(ID):200A
最大漏源电压(VDS):600V
导通电阻(RDS(on)):约20mΩ
封装类型:SIP(单列直插式封装)
工作温度范围:-55°C至150°C
散热方式:内置散热器或通过PCB散热
Z5SMC200模块具有非常低的导通电阻,可以显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该模块的封装设计优化了热管理性能,使其能够在高负载条件下保持稳定的运行温度。该模块还具备优异的短路耐受能力和抗过载能力,适用于高可靠性要求的应用场景。其快速开关特性也使得该模块在高频应用中表现出色,减少了开关损耗。Z5SMC200还具有良好的电气隔离性能,确保了模块在高压环境下的安全运行。
Z5SMC200广泛应用于工业电机驱动、电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及各种高功率DC-DC转换器中。其高性能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。
SKM200GB12T4、FF200R12KT4、STY200N65M5