时间：2025/7/9 20:49:38
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RF21N180J251CT是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合高频应用环境。
RF21N180J251CT采用TO-252封装形式，能够提供出色的散热性能，同时其小尺寸设计使其非常适合空间受限的应用场合。
型号：RF21N180J251CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：180V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.7Ω（在Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：1.3W
结温范围：-55℃至+150℃
封装：TO-252
RF21N180J251CT的主要特点是低导通电阻和高击穿电压的结合，这使得它能够在功率转换和开关应用中实现更高的效率和更少的能量损耗。
此外，该器件还具有以下优点：
- 快速开关能力，降低开关损耗。
- 内置ESD保护功能，提高系统可靠性。
- 符合RoHS标准，环保无铅。
- 小巧的封装形式有助于减少PCB面积占用。
由于这些特点，RF21N180J251CT成为许多需要高效能和紧凑设计的电子产品的理想选择。
RF21N180J251CT适用于多种工业及消费类电子设备，典型应用包括：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
- 直流-直流转换器中的开关元件。
- 电池管理系统中的负载切换和保护电路。
- 电机驱动器中的功率级控制。
- LED照明系统的恒流或恒压控制。
总之，这款MOSFET特别适合要求高效率和小型化的应用场景。
IRFZ44N, AO3400A
