VU062-12N07 是一款由威世(Vishay)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟道技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等应用场景。该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的热管理和高可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):120V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):约7.5mΩ(典型值)
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
晶体管配置:单N沟道
VU062-12N07 MOSFET具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件的高电流承载能力(60A)使其适用于高功率密度设计,如服务器电源、工业电源和电池管理系统等。其次,该MOSFET具有快速开关能力,可有效降低开关损耗,提高电源转换效率。
此外,VU062-12N07采用了先进的硅技术与高耐用性的封装设计,确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。其±20V的栅极电压耐受能力增强了抗过压能力,提高了系统可靠性。TO-220封装提供良好的散热性能,便于安装在散热片上,适用于需要高效热管理的应用场景。
VU062-12N07广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于:服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和负载开关控制。由于其优异的导通性能和高电流能力,该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理设计。在汽车电子中,它可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和能量回收系统等关键模块。
SiS442DN, IRFB4410, FDS4410, IPW60R070C7