时间：2025/8/25 7:43:29
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FDB12N50FTM_WS 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于电源转换、电机控制和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FDB12N50FTM_WS 具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）为0.45Ω，这在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力达到500V，使其适用于中高压电源转换场景。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
其栅极电压范围为±20V，提供了更高的设计灵活性，同时具备较强的抗过压能力。该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于多种PCB布局需求。FDB12N50FTM_WS 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，其热稳定性优异，能够在高温环境下长时间稳定运行，适用于工业级应用。
FDB12N50FTM_WS 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为电源管理和功率转换应用的理想选择。在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高效率并减少热量产生。在电机驱动器中，FDB12N50FTM_WS 可用于H桥结构，实现电机的双向控制。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）等高可靠性应用场景。
FDB15N50、FQA12N50、IRFBC40
