CDRH169RNP-471MC 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款射频功率晶体管,基于 GaN(氮化镓)技术,广泛用于射频放大器和无线通信系统中。该器件具有高功率密度、高效率和高可靠性,适用于蜂窝基站、雷达系统、测试设备等多种高功率射频应用。
类型:GaN射频功率晶体管
封装形式:螺栓式封装
漏极电流(ID):16A(典型值)
工作电压(VDS):65V
输出功率:900W(脉冲)
频率范围:2.3GHz - 2.7GHz
增益:18dB(典型值)
效率:70%以上
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
CDRH169RNP-471MC 采用先进的 GaN-on-SiC 技术,具备出色的热稳定性和高频性能。其高功率密度使其在有限空间内实现高效的射频能量输出。该晶体管在2.3GHz至2.7GHz频段内提供高达900W的脉冲输出功率,非常适合用于4G/5G基站功率放大器设计。此外,该器件具有良好的线性度和失真性能,支持高数据速率通信系统的需求。其高可靠性和长寿命特性也使其在军事雷达和工业设备中广泛使用。
这款晶体管的封装设计优化了热管理和射频连接,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定性能。其螺栓式安装方式便于散热器连接,提高散热效率。此外,CDRH169RNP-471MC 在设计上具有良好的输入/输出阻抗匹配特性,减少了外围匹配电路的复杂度,有助于简化系统设计并降低成本。
CDRH169RNP-471MC 主要应用于无线通信基站(如4G LTE和5G NR)、雷达系统、测试与测量设备、广播发射机以及其他高功率射频系统。其优异的性能使其成为高功率放大器设计的理想选择。
CGH40095、NPT2090S-20B、GaN19-900B