时间：2025/8/6 7:44:16
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IXSH24N60B 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高电流应用场景设计，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源转换器、马达驱动、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率管理的系统中。IXSH24N60B 采用 TO-247 封装形式，具备良好的热管理和电气性能，使其在高温环境下也能稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：24A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω（最大值）
封装类型：TO-247
IXSH24N60B 的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极电压可达 600V，使其适用于高电压输入环境下的功率转换系统。该器件的导通电阻较低，仅为 0.21Ω，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，其连续漏极电流可达 24A，满足大电流应用的需求。IXSH24N60B 还具备良好的热稳定性，TO-247 封装提供了优异的散热性能，从而延长器件的使用寿命。
另一个显著特点是其栅极-源极电压范围较宽，达到 ±20V，这使得该器件在不同的驱动电路中具有较高的灵活性。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小功率转换器的体积并提高系统响应速度。同时，IXSH24N60B 的工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等严苛应用环境。
IXSH24N60B 通常应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器以及马达控制电路。在开关电源设计中，它可用于高边或低边开关，实现高效的能量转换。由于其高耐压和大电流能力，该器件也常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及光伏逆变器等新能源应用中。此外，IXSH24N60B 还可用于电动汽车（EV）充电设备、电池管理系统（BMS）等新兴领域的功率控制模块。
IXSH24N60C, IXFH24N60Q, IRFP460, FDPF460
