时间：2025/6/12 0:31:09
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GA1210Y224MXJAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能和可靠性。该器件适用于高频率开关应用中，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其设计优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，能够显著提高系统效率并降低热耗散。
该型号的封装形式为TO-263（D2PAK），具有较大的散热面积，适合需要高效散热的应用环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：22A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：50nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 超低导通电阻设计，有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频操作，从而减小外部元件体积。
3. 内置ESD保护电路，提升器件抗静电能力。
4. 提供优异的热稳定性，确保在极端条件下仍能保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业级DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换与电源管理。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP22NF10L
FDP15U20A
IXYS20N10T
AOI2S20B
