时间：2025/8/5 17:13:05
阅读：19
IXFN26N100是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电流和高电压的功率电子应用。该器件设计用于开关电源、电机控制、逆变器和工业自动化系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
连续漏极电流（Id）：26A
栅源电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXFN26N100具有高击穿电压能力，能够承受高达1000V的漏源电压，使其适用于高电压系统。该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)），通常在0.28Ω以下，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。
器件采用了先进的平面技术，确保了在高电流下的稳定性和可靠性。此外，IXFN26N100具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常运行。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，适用于高功率应用。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容大多数栅极驱动IC。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，有助于减小外部元件的尺寸并提高整体系统效率。
IXFN26N100广泛应用于电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备。该器件特别适合用于需要高电压耐受能力和较高电流能力的高功率应用。
STW25NK10Z, IRGP50B60PD1, FGA25N120ANTD
