RF2196TR13 是一款由RF Micro Devices(现为Qorvo)生产的高性能射频功率放大器(PA)模块,设计用于蜂窝通信应用,特别是在2G、3G和4G LTE系统中。该器件采用先进的InGaP/GaAs HBT技术制造,具有高线性度、高效率和良好的热稳定性,适用于基站、无线基础设施和移动通信设备。
频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值27 dBm
增益:20 dB(典型值)
OIP3:42 dBm
电源电压:5 V
电流消耗:典型值220 mA
封装类型:24引脚QFN
工作温度范围:-40°C至+85°C
RF2196TR13的主要特性之一是其宽频率覆盖范围,可在800 MHz至2.7 GHz的频段内工作,使其适用于多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA和LTE。该器件采用高线性度设计,确保在高数据速率传输中保持良好的信号完整性,降低误码率。
此外,该放大器模块集成了输入和输出匹配网络,减少了外部元件数量,简化了设计流程,并提高了系统的整体可靠性。其高OIP3(42 dBm)性能使其在多载波系统中表现出色,能够有效抑制互调干扰。
该功率放大器还具备良好的热管理和过热保护功能,确保在高功耗条件下仍能稳定运行。其24引脚QFN封装提供了良好的散热性能和紧凑的设计,适合空间受限的应用场景。RF2196TR13的低功耗特性(典型电流消耗为220 mA)也使其适用于需要高效能与低能耗平衡的设备。
RF2196TR13广泛应用于多种无线通信系统,特别是在基站和无线基础设施中,例如微基站、射频拉远单元(RRU)和分布式天线系统(DAS)。此外,该器件也适用于工业通信设备、测试测量仪器、宽带无线接入系统以及移动终端设备中的射频前端模块。
由于其高线性度和优异的互调抑制性能,该器件特别适合用于多载波通信系统和高数据速率传输场景,如长期演进(LTE)网络中的功率放大应用。其紧凑的封装形式也使其成为高密度电路设计中的理想选择,适用于空间受限但要求高性能的场合。
RF2195TR13, RF2197TR13