时间：2025/8/9 8:36:42
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FMW16N60G 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET器件，主要用于高电压和高电流的应用场景，例如电源转换、马达控制、逆变器和工业自动化设备中。该器件采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率和高频率工作的系统设计。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流：16A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（典型值）
栅极阈值电压：2.0V至4.0V
最大栅极电压：±20V
最大功耗：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
FMW16N60G具有多个关键特性，使其在各种电力电子应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，其600V的高耐压能力使其适用于高电压工作环境，确保了器件的可靠性和稳定性。
其次，FMW16N60G的快速开关特性显著降低了开关损耗，从而支持高频操作，这对于减小电源系统的尺寸和重量至关重要。同时，该器件的热性能优良，能够有效散热，从而延长使用寿命并提高系统的可靠性。
FMW16N60G广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动、照明系统、电池充电器以及工业控制系统。在开关电源中，该器件的高效能和快速开关特性能够显著提高电源的转换效率并减少发热。在马达驱动和逆变器应用中，FMW16N60G的高电压和高电流处理能力使其成为理想的选择。此外，该器件的稳定性和可靠性也使其适用于对性能要求较高的工业自动化设备。
FGA16N60SFD, FQA16N60C, FDPF16N60
