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NTMFD4902NFT1G 发布时间 时间:2025/5/8 14:15:26 查看 阅读:10

NTMFD4902NFT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点。这种二极管广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及高频电路中,以实现高效的能量转换和保护功能。
  该器件采用 TO-263-3 封装形式(也称为 DPAK),能够承受较高的电流和电压,同时具备出色的热性能。

参数

最大反向电压:60V
  最大正向电流:5A
  正向电压降(典型值,IF=5A):0.45V
  反向恢复时间(trr):35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结到环境):40℃/W
  封装类型:TO-263-3 (DPAK)
  功耗(最大):30W

特性

NTMFD4902NFT1G 的主要特性包括:
  1. 低正向电压降,减少传导损耗,提升效率。
  2. 快速反向恢复时间,适合高频应用。
  3. 高浪涌电流能力,增强可靠性。
  4. 稳定的电气性能,即使在高温环境下也能保持优良表现。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
  7. 具备良好的热性能,有助于散热设计。
  这些特性使得 NTMFD4902NFT1G 成为高频功率转换和整流应用的理想选择。

应用

NTMFD4902NFT1G 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的整流和箝位功能。
  2. DC-DC 转换器中的续流二极管。
  3. 太阳能逆变器中的能量转换电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换保护。
  5. 工业设备中的高频信号处理。
  6. 电池充电器中的反向电流保护。
  7. 各种需要低损耗和快速响应的功率管理场景。
  其卓越的性能使其成为许多高要求应用场合下的首选元件。

替代型号

NTMBR40100CTG, MBR40100CT, SS54

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NTMFD4902NFT1G参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-DFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)