型号：RF201LAM2STFTR
　　制造商：NXP Semiconductors
　　类型：低噪声放大器（LNA）
　　工作频率范围：1.5 GHz 至 3.0 GHz
　　增益：典型值18 dB
　　噪声系数：典型值0.85 dB
　　IIP3（三阶截点）：典型值+25 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：小于2.0:1
　　工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
　　静态电流：可调，典型值15 mA至30 mA
　　输出P1dB压缩点：典型值+15 dBm
　　封装类型：SOT143 或类似小型化表面贴装封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　集成匹配网络：是
　　内部偏置电路：支持外部电阻控制

RF201LAM2STFTR具备多项先进特性，使其成为现代高频无线接收系统中的理想选择。首先，它采用了高性能的SiGe:C双极型晶体管工艺，这种技术不仅实现了极低的噪声系数（典型值仅为0.85 dB），还在宽频带内提供了稳定的增益响应（典型增益为18 dB）。这使得信号在弱场环境下仍能被有效放大而不引入过多额外噪声，显著提升系统的灵敏度和信噪比。其次，该器件具有优异的线性性能，IIP3（输入三阶互调截点）高达+25 dBm，表明其在多载波或强干扰环境中仍能保持良好的信号保真度，避免交调失真影响邻道性能。
　　另一个关键特性是其灵活的偏置配置能力。通过外接一个电阻即可设定静态工作电流，通常可在15 mA到30 mA之间调节，从而在低功耗模式和高性能模式之间进行权衡。这一功能特别适用于便携式设备或远程基站，在保证接收性能的同时延长电池寿命或降低散热需求。此外，RF201LAM2STFTR集成了输入和输出端的阻抗匹配网络，减少了对外部电感、电容元件的依赖，大幅简化了射频电路设计流程，缩短产品开发时间，并提高生产一致性。
　　该器件还具备良好的输入/输出回波损耗（VSWR < 2.0:1），确保与天线和后续混频器或滤波器之间的良好阻抗匹配，减少信号反射带来的损耗。其宽电源电压范围（2.7 V ~ 5.5 V）增强了系统兼容性，可适配多种供电架构。工作温度范围达到-40°C至+105°C，满足工业级和户外设备的严苛环境要求。封装形式采用小型化的SOT143或类似DFN结构，节省PCB空间，便于自动化贴片装配。整体上，RF201LAM2STFTR结合了高增益、低噪声、高线性度与设计简便性，是一款高度集成且可靠的射频前端解决方案。

RF201LAM2STFTR广泛应用于各类高性能无线通信系统中，尤其适合作为接收链路中的第一级放大器使用。在蜂窝通信领域，它常用于4G LTE和5G NR基站、小型蜂窝（Small Cell）单元及分布式天线系统（DAS）中，用于增强上行链路信号的接收灵敏度。其宽频带特性使其能够覆盖多个蜂窝频段（如Band 34、39、40、41等TDD频段），实现单器件多频段兼容，降低系统复杂度。
　　在无线基础设施方面，该LNA可用于点对点和点对多点微波回传系统、卫星通信地面站以及宽带无线接入设备（如WISP终端），在长距离传输中提升弱信号的可检测性。此外，由于其工作频率涵盖2.4 GHz和3.5 GHz等常用ISM与5G频段，因此也适用于Wi-Fi 6/6E接入点、物联网网关、智能城市传感器网络等需要高可靠性和远距离通信能力的应用场景。
　　在测试与测量设备中，RF201LAM2STFTR可作为高频信号采集前端的核心组件，用于频谱分析仪、信号发生器或便携式监测设备中，确保微弱射频信号不失真地被捕捉和处理。军事和航空航天领域亦有潜在应用，例如在战术通信系统或无人机数据链中作为低噪声接收前端。总之，凡是对接收灵敏度、抗干扰能力和稳定性有较高要求的射频系统，均可考虑采用RF201LAM2STFTR作为关键增益模块。

BGA271x5, BGA272x5, PGA103xx