制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：CL21
　　电容值：5.6nF (5600pF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805 (2012mm)
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　应用等级：通用 / 工业
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

CL21C562JBFNNNE所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质材料赋予了该电容器卓越的电气稳定性和温度不变性。C0G材料是一种Class I陶瓷，其最大的优势在于在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着在极端温度环境下仍能保持高度精确的电容值，不会出现像X7R或Y5V等Class II材料那样的显著容量漂移。这种极高的温度稳定性使其成为精密模拟电路、高频谐振回路和时钟电路中的理想选择。
　　此外，C0G介质还具有极低的介电损耗（tan δ通常低于0.1%），这使得该电容器在高频应用中表现出色，能够有效减少能量损耗和发热，提升系统效率。相比其他类型MLCC，它几乎不存在电压系数效应，即在接近额定电压下工作时电容值也不会明显下降，确保了电路参数的一致性和可预测性。
　　结构上，CL21C562JBFNNNE采用多层叠层设计，在保证小体积的同时实现稳定的电气性能。其0805封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，适合自动化贴片生产，并能在振动、湿度等复杂环境中保持良好性能。该器件还具备优异的抗老化能力，电容值不会随时间推移而衰减，长期运行稳定性极高。
　　由于不含铁电材料，C0G电容器不具有压电效应，因此在音频或敏感信号路径中使用时不会引入微音效应（microphonics）或非线性失真，进一步提升了其在高端模拟和射频设计中的适用性。总体而言，CL21C562JBFNNNE是一款高性能、高可靠性的陶瓷电容，专为需要长期稳定性和精确电容控制的应用场景而设计。

CL21C562JBFNNNE因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）电路中，它常用于LC谐振槽路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐电路，确保频率响应的一致性与精度。在精密模拟设计中，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，该电容器可防止因温度波动引起的增益漂移或相位误差。此外，在时钟生成电路（如晶体振荡器、PLL环路滤波器）中，其稳定的电容值有助于维持频率稳定性，避免时序抖动。
　　工业控制设备、医疗仪器、测试测量装置等对长期可靠性要求较高的领域也普遍采用此类C0G电容。例如，在传感器信号调理电路中，CL21C562JBFNNNE可用于消除噪声干扰而不影响信号保真度。在电源管理模块中，尽管其容量较小，但仍可用作高频去耦电容，尤其适用于高速数字IC的局部退耦，以抑制高频开关噪声。
　　通信基础设施如基站、光模块和光纤收发器中，该器件同样发挥重要作用，用于高速信号路径的交流耦合与直流阻断。由于其无磁性、低EMI辐射的特性，也可用于电磁敏感环境下的电路设计。此外，汽车电子中的某些非动力域应用（如车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口）若工作温度在规格范围内，也可选用该型号以满足AEC-Q200以外但接近工业级严苛条件的需求。总之，任何需要高稳定性、低失真和长期可靠性的电路场合，都是CL21C562JBFNNNE的理想应用场景。

GRM21BR71H562JA01
　　 C2012X5S1H562K