您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SKM225GB07L5D1

SKM225GB07L5D1 发布时间 时间:2025/8/15 15:40:30 查看 阅读:20

SKM225GB07L5D1 是富士电机(Fuji Electric)生产的一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,属于功率半导体器件。该模块主要用于高功率应用,如变频器、逆变器、工业电机控制、新能源发电等领域。IGBT模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,具有高效率、高可靠性、高集成度等优点。SKM225GB07L5D1 采用双管封装(Dual IGBT Module)设计,内部集成了两个IGBT单元,并可能集成有反并联二极管,适用于多种拓扑结构。

参数

集电极-发射极电压(VCES):700V
  额定集电极电流(IC):225A
  短路耐受电流:450A(10μs)
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C
  封装形式:双管模块(Dual Module)
  栅极驱动电压:±15V(典型)
  导通压降:约1.5V(典型值)
  最大损耗(Ptot):300W
  绝缘等级:符合IEC 60176-1标准
  安装方式:螺钉安装
  尺寸:约140mm x 90mm x 15mm(根据具体封装版本可能略有不同)

特性

SKM225GB07L5D1 是一款高性能IGBT模块,具有优异的电气性能和热稳定性。其主要特性包括:
  1. 高电压和大电流能力:该模块具有700V的集电极-发射极电压和225A的额定集电极电流,适用于中高功率应用。其短路耐受能力达到450A,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行。
  2. 高集成度和紧凑封装:采用双管封装设计,模块内部集成了两个IGBT单元,可能还包括反并联二极管,使得在逆变器拓扑中可以减少外围电路的复杂度,提高系统集成度。
  3. 低导通压降和开关损耗:模块优化了IGBT芯片的设计,使得导通压降较低,通常在1.5V左右,同时具有较低的开关损耗,提高了整体系统的能效。
  4. 高可靠性与热管理:该模块采用先进的封装技术和材料,确保良好的热传导性能,降低热阻,从而提高器件在高功率工作下的稳定性。其工作温度范围宽,适用于各种工业环境。
  5. 安全性和绝缘性能优良:模块符合IEC 60176-1等国际标准,具有良好的绝缘性能和抗干扰能力,适合在高电压和高电流环境中使用。
  6. 易于安装和维护:模块采用螺钉安装方式,便于快速安装和更换,适合工业自动化和电机控制等应用场合。

应用

SKM225GB07L5D1 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括:
  1. 工业变频器和伺服驱动器:用于电机控制,提高能效和响应速度。
  2. 太阳能逆变器和风力发电变流器:实现直流到交流的高效转换,提升新能源系统的整体效率。
  3. 电动汽车和充电设备:用于电源管理和能量转换,满足高功率需求。
  4. 轨道交通和工业自动化设备:提供高可靠性的电力转换和控制解决方案。
  5. UPS不间断电源和储能系统:支持高效能量转换和稳定供电。

替代型号

SKM225GB07L5D1-H、SKM225GB078D1、SKM225GB128D

SKM225GB07L5D1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价