时间：2025/7/3 19:40:33
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RF18N4R0B500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频射频 (RF) 应用设计。该器件具有高功率密度、高效能和宽带宽特性，适用于通信、雷达和其他高频系统中的功率放大器。它采用了先进的封装技术以优化热性能，并支持表面贴装工艺。
这款 GaN HEMT 具备出色的线性度和增益性能，使其成为需要高性能和小尺寸解决方案的理想选择。
最大漏极电流：7A
击穿电压：200V
输出功率：18W
频率范围：DC 至 6GHz
导通电阻：0.1Ω
封装类型：QFN-16
RF18N4R0B500CT 的主要特性包括：
1. 高效率：在高频条件下表现出卓越的能量转换效率，减少热量产生并提升系统效能。
2. 高功率密度：相较于传统硅基晶体管，能够实现更小的体积. 宽带操作能力：覆盖从直流到 6GHz 的频率范围，满足多种射频应用需求。
4. 低热阻封装：采用 QFN 封装，增强散热性能，确保稳定运行。
5. 线性度优异：提供更高的信号保真度，减少失真和干扰。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于无线通信基站、卫星通信设备等。
2. 雷达系统：支持军事和民用雷达的发射机部分。
3. 微波加热设备：如工业微波炉或医疗治疗设备中的功率模块。
4. 测试与测量仪器：为高性能测试设备提供稳定的射频信号源。
5. 点对点无线电链路：实现长距离数据传输时所需的高增益和低噪声性能。
RF18N4R0B500FT, RF16N4R0B500CT
