时间：2025/6/30 11:45:39
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FN21N8R2D500PAG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其设计采用了先进的封装工艺，以实现更好的散热性能和可靠性。
FN21N8R2D500PAG 的主要优势在于其高效能表现，能够显著降低系统的能量损耗，并且支持更高的工作频率，从而减少无源元件的尺寸，优化整体系统设计。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：21A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：40ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PAG（塑封模块）
FN21N8R2D500PAG 拥有卓越的电气性能和热管理能力。首先，它采用增强型氮化镓材料，大幅降低了导通电阻和开关损耗，同时保持了出色的稳定性和耐用性。其次，该器件的工作频率非常高，能够轻松满足现代电力电子设备对效率和紧凑性的要求。
此外，其封装设计专门针对高功率应用场景进行了优化，具备良好的散热特性和机械强度。通过将芯片与散热片紧密结合，可以有效提升长期运行时的可靠性。最后，FN21N8R2D500PAG 还具有内置保护功能，例如过流保护和短路保护，进一步增强了其在实际应用中的安全性。
这款 GaN 功率 MOSFET 广泛应用于各种高效率、高密度的电力转换系统中。典型的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于工业级和消费级产品，提供更快的动态响应和更低的待机功耗。
2. 电动汽车充电设备：支持大功率快速充电站的设计，保证高可靠性和稳定性。
3. 太阳能逆变器：提高能源转换效率，减少热量损失。
4. 电机驱动控制器：为高性能电机提供精确的电流控制，同时兼顾成本效益。
5. 数据中心供电单元：助力构建更加绿色节能的数据基础设施。
FG18N6R5D400PAK, FJ25N7R2D550PAD
