RF18N3R0B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET),专为高频放大器应用设计。该器件采用先进的制造工艺,能够在高频率和宽带宽条件下提供卓越的增益和线性性能。其典型应用场景包括射频功率放大器、低噪声放大器以及无线通信系统中的信号处理模块。
RF18N3R0B500CT 的设计目标是满足现代通信设备对高效率、高可靠性和小尺寸的需求。通过优化的封装设计和内部结构,这款晶体管能够在高频环境下保持稳定的电气性能。
类型:射频场效应晶体管 (RF FET)
工作频率范围:DC 至 18 GHz
最大漏极电流 (Id):3 A
最大漏源电压 (Vds):50 V
栅极电荷 (Qg):25 nC
输出功率 (Pout):45 dBm(典型值)
增益 (Gain):12 dB(典型值)
饱和漏极电流 (Idsat):2.5 A
封装形式:陶瓷气密封装
热阻 (Rth):1.2 ℃/W
RF18N3R0B500CT 具备以下显著特点:
1. 高频性能:支持高达 18 GHz 的工作频率范围,适用于多种射频应用。
2. 高输出功率:能够提供高达 45 dBm 的输出功率,在射频功率放大器中表现出色。
3. 稳定性:在宽频率范围内具有良好的稳定性和增益特性,减少系统设计复杂度。
4. 小型化设计:紧凑的封装形式使其易于集成到各种电路板中。
5. 高可靠性:采用气密封装技术,确保器件在恶劣环境下的长期稳定性。
6. 低失真:优化的线性性能使其非常适合需要低失真的通信系统。
7. 宽带匹配能力:内置匹配网络,简化了外部电路的设计需求。
RF18N3R0B500CT 广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器:用于基站、雷达和其他高功率射频设备。
2. 低噪声放大器 (LNA):在接收机前端提供高增益和低噪声性能。
3. 微波通信系统:支持点对点微波链路等宽带通信应用。
4. 卫星通信:为卫星地面站设备提供可靠的功率输出。
5. 军事与航空航天:满足高可靠性要求的国防和航空电子设备。
6. 测试与测量仪器:如信号发生器和频谱分析仪等需要高精度射频信号处理的设备。
RF18N3R0B501CT, RF18N3R0B502CT