时间：2025/9/14 5:41:22
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PESD5V0S4UF,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的静电放电（ESD）保护二极管阵列芯片，专为高速数据线路和敏感电子设备提供高效、可靠的过压保护。该器件集成了4个独立的ESD保护二极管，适用于USB、HDMI、以太网等高速接口的保护应用。PESD5V0S4UF,115采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，具备低电容特性，能够有效防止静电和瞬态电压对主芯片的损害，同时不影响信号完整性。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：5.0V
钳位电压（Vc）：典型值9.5V（在Ipp=2A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：2A（8/20μs波形）
反向关态电压（VRWM）：5.0V
漏电流（IR）：最大100nA（在VRWM=5.0V时）
电容（Cj）：典型值2.5pF（在f=1MHz时）
封装类型：DFN10
引脚数：6
工作温度范围：-55°C至+150°C
ESD耐受能力：IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）
安装类型：表面贴装（SMD）
PESD5V0S4UF,115具备多项优良特性，使其成为高速接口ESD保护的理想选择。首先，其低工作电压（5.0V）设计适用于低压电子系统的保护需求，确保在不影响系统正常工作的前提下提供有效保护。其次，该器件的钳位电压较低，典型值为9.5V，在受到ESD冲击时能够迅速将电压限制在安全范围内，从而减少对后级电路的损害。此外，PESD5V0S4UF,115具有高达2A的峰值脉冲电流承受能力，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能够在恶劣的电磁环境中提供稳定可靠的保护性能。
另一个关键特性是其低漏电流，最大仅为100nA，这确保了器件在正常工作状态下的功耗极低，不会影响系统的整体功耗和稳定性。同时，该器件的结电容非常低，典型值为2.5pF，非常适合用于USB 2.0、HDMI和以太网等高速信号传输线路的保护，避免因电容效应导致信号失真或传输速率下降。
PESD5V0S4UF,115采用DFN10封装形式，体积小巧，适合空间受限的便携式设备设计。其表面贴装（SMD）封装形式便于自动化生产和PCB布局，提高了生产效率和可靠性。工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类应用场景。
PESD5V0S4UF,115广泛应用于需要高速信号保护的各类电子设备中，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携设备。其主要应用场景包括USB 2.0接口、HDMI接口、以太网接口、DisplayPort接口以及其它高速数据通信线路的ESD保护。此外，该器件也可用于工业控制系统、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中的信号线保护。由于其低电容和快速响应特性，特别适用于需要保持信号完整性的高速数字和模拟电路中。
PESD5V0U4UF,115; PESD5V0S4BA,115; ESDA6V1W5B; TPD3E001; TPD4E001
