时间：2025/10/7 7:06:57
阅读：4
UTS1A221MPD1TD是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司生产的高性能硅碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件结合了碳化硅材料的优异物理特性与先进的封装技术，适用于多种严苛条件下的电力电子应用。作为一款650V额定电压的肖特基二极管，UTS1A221MPD1TD在反向耐压、正向导通压降和开关损耗方面表现出色，显著优于传统硅基快恢复二极管（FRD）。其主要优势在于几乎无反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）并提升了系统整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高达175°C的结温下持续工作，适合用于紧凑型电源模块和高功率密度设计中。UTS1A221MPD1TD采用表面贴装型DFN8x8封装，具备优良的散热性能和较小的寄生电感，有助于提升高频性能，并支持自动化贴片生产，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源及PFC（功率因数校正）电路等场景。
型号：UTS1A221MPD1TD
类型：SiC肖特基二极管
最大反向电压（VRRM）：650V
平均正向电流（IF(AV)）：10A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A
正向电压降（VF）：1.7V（典型值，@IF=10A, TJ=25°C）
反向漏电流（IR）：200μA（最大值，@VR=650V, TJ=150°C）
反向恢复电荷（Qrr）：≈0C（无反向恢复特性）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装形式：DFN8x8
安装方式：表面贴装（SMD）
UTS1A221MPD1TD的核心特性源于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料具有比传统硅更高的击穿电场强度、更高的热导率以及更优的电子迁移率。这使得该器件能够在保持650V高阻断电压的同时实现极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复电荷。由于不存在少子存储效应，UTS1A221MPD1TD在开关过程中不会出现传统PN结二极管常见的反向恢复电流尖峰，极大减少了开关损耗和电磁干扰，特别适用于连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的PFC电路。该特性还允许其与高速开关器件如GaN HEMT或SiC MOSFET协同工作，充分发挥宽禁带器件的高频潜力，提升整个系统的转换效率。
此外，该器件具有出色的热性能，可在高达175°C的结温下安全运行，确保在高温环境下仍能维持稳定性能，减少对复杂散热系统的需求，有助于缩小整机体积。DFN8x8封装不仅提供了良好的热传导路径，通过底部裸露焊盘将热量高效传递至PCB，还优化了内部引线布局以降低寄生电感，进一步提升高频响应能力。同时，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊接工艺，适用于现代自动化生产线。器件还具备高抗浪涌能力，可承受高达120A的非重复性浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。整体而言，UTS1A221MPD1TD凭借其卓越的电气与热性能，在追求高能效、小型化和高可靠性的现代电力电子系统中展现出显著优势。
UTS1A221MPD1TD因其优异的高频、高效和高温性能，被广泛应用于各类高要求的电力转换系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常用于有源钳位反激、LLC谐振变换器以及连续导通模式（CCM）PFC级中的输出整流或升压续流二极管，帮助实现95%以上的系统效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧防反二极管或MPPT电路中的高频整流元件，提高能量利用率并降低系统温升。在电动汽车相关应用中，UTS1A221MPD1TD适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及充电桩内部的辅助电源模块，满足新能源汽车对高功率密度和长期可靠性的需求。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源和高端消费类适配器中，该器件也能有效替代传统硅快恢复二极管，减少散热器尺寸并提升动态响应性能。其表面贴装封装形式特别适合需要自动组装和回流焊工艺的大批量制造场景，因此在追求小型化和高集成度的产品设计中具有重要价值。
C4D10065A
SDB10A65P1
GSID10AMX65
