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RF18N1R8B500CT 发布时间 时间:2025/7/7 18:20:47 查看 阅读:9

RF18N1R8B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大器模块。该器件采用了先进的硅锗 (SiGe) 或砷化镓 (GaAs) 工艺技术,能够提供高增益、高效率和宽频带操作能力。它通常被设计用于蜂窝基站、点对点无线电设备以及雷达等高频应用中。
  此型号中的关键参数定义了其在特定频率范围内的性能表现,同时具备出色的线性度和稳定性,可满足现代通信系统对信号质量的要求。

参数

型号:RF18N1R8B500CT
  类型:射频功率晶体管
  工艺:SiGe 或 GaAs
  工作频率范围:700 MHz 至 3.5 GHz
  输出功率(典型值):50 W
  增益(典型值):12 dB
  效率(典型值):55%
  封装形式:TO-263 或表面贴装
  最大结温:175°C
  供电电压:28 V

特性

RF18N1R8B500CT 的主要特性包括:
  1. 高输出功率和效率,在宽带范围内保持稳定性能。
  2. 低失真和优秀的线性度,适合于数字调制信号的处理。
  3. 内置匹配网络,简化外部电路设计并提高集成度。
  4. 紧凑型封装选项,便于实现小型化设计。
  5. 可靠性强,能够在恶劣环境下长时间运行。
  6. 支持多载波操作,适应复杂通信协议的需求。
  7. 提供多种保护机制,如过热保护和过流保护,确保长期可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
  2. 点对点微波无线电传输系统。
  3. 雷达和卫星通信设备。
  4. 测试与测量仪器中的信号源。
  5. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段的应用。
  6. 其他需要高效射频功率放大的场合。

替代型号

RF18N1R8B400CT, RF18N1R8A500CT

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RF18N1R8B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.12374卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-