F951A156MVCAQ2 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的高压 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种工业和消费类电子应用中的高效能功率转换场景。
这款 MOSFET 集成了出色的电气性能与紧凑的封装设计,能够在高频条件下实现更高的效率和更低的损耗。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:1.48A
导通电阻:3.8Ω
栅极电荷:30nC
总功耗:1.2W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263 (D2PAK)
F951A156MVCAQ2 具备以下显著特点:
1. 高耐压能力,能够承受高达 700V 的漏源电压,适用于高电压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度,确保在高频工作条件下的卓越表现。
4. 高温适应性,能在极端温度范围内稳定运行,满足严苛的工业需求。
5. 小巧的封装设计,节省 PCB 空间的同时保持良好的散热性能。
6. 内置保护机制,增强了器件的可靠性和耐用性。
F951A156MVCAQ2 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器:用于升降压转换器和反激式拓扑结构。
3. 电机驱动:控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
4. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
5. 家用电器:例如空调压缩机驱动、洗衣机变频器等。
6. 汽车电子:适合作为车载充电器或电池管理系统中的关键组件。
F951A156MVC, F951A156MVCG2