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IXTH14N100 发布时间 时间:2025/8/6 10:10:21 查看 阅读:19

IXTH14N100是IXYS公司生产的一款高电压、高功率的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率转换和高可靠性应用设计,广泛应用于工业电源、开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器以及太阳能逆变器等领域。该MOSFET具有1000V的漏源击穿电压,最大连续漏极电流为14A,适用于高电压和高电流的工作环境。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):1000V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID@25°C):14A
  峰值漏极电流(IDM):56A
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247AC
  导通电阻(RDS(on)):0.82Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):87nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1950pF(典型值)

特性

IXTH14N100具有多项优异的电气和热性能,适合高电压和高功率应用。其高耐压能力(1000V)使其在高压电源和逆变器系统中表现出色。器件的导通电阻较低,仅为0.82Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力,可在高应力条件下提供稳定的性能。
  该MOSFET采用TO-247AC封装,具备良好的散热性能,适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。其封装设计也便于安装在散热片上,提高热管理效率。栅极电荷(Qg)仅为87nC,使得该器件在高频开关应用中具有更快的开关速度,从而降低开关损耗。
  IXTH14N100的热阻较低,确保在高温环境下依然保持稳定的工作状态。该器件还具有良好的短路耐受能力,适用于电机驱动和电源管理系统等对可靠性要求较高的应用。

应用

IXTH14N100广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制、工业自动化设备、太阳能逆变器和风能转换系统等。其高耐压能力和低导通电阻特性使其成为高压电源转换和高功率负载管理的理想选择。
  在太阳能逆变器中,IXTH14N100可用于DC-AC转换电路,将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在工业电源系统中,该MOSFET可用于高效率的AC-DC转换模块,提高整体系统能效。此外,该器件还可用于电机控制和变频器系统,提供稳定的功率输出。

替代型号

IXTH16N100, IXTP14N100, IXFK15N100

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IXTH14N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MegaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C820 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs195nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5650pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件