LESDA6V8W5T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单向硅基瞬态电压抑制器(TVS)二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的影响而设计。该器件具有低钳位电压和快速响应时间,适用于多种通信接口、便携式电子设备和工业控制系统等应用场景。
类型:单向TVS二极管
工作电压:6.8V
最大反向工作电压(VRWM):6.8V
钳位电压(Vc):最大13.3V(在Ipp = 1A条件下)
峰值脉冲电流(Ipp):1A
响应时间(tR):小于1ns
封装形式:SOD-523(SC-70)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
LESDA6V8W5T1G 的核心特性之一是其高效的瞬态电压保护能力。它能够在极短的时间内(<1ns)响应电压突变,并将电压钳制在一个安全范围内,从而保护下游电路免受损坏。该器件的钳位电压较低,最大为13.3V(在1A的峰值脉冲电流条件下),这确保了即使在高能量瞬态事件中,连接的设备仍能保持安全运行。
此外,LESDA6V8W5T1G 采用先进的硅技术制造,具备优异的可靠性和耐用性。其低电容特性使其非常适合用于高速数据线路保护,例如USB、HDMI和以太网接口。这种低电容特性可以确保信号完整性不受影响,从而避免通信性能下降。
在封装方面,LESDA6V8W5T1G 使用 SOD-523(SC-70)小型表面贴装封装,这不仅节省了PCB空间,还便于自动化生产和回流焊工艺。它的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适合在广泛的工业和消费电子环境中使用。
最后,该器件具有良好的ESD抗扰度,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,即能够承受高达±8kV接触放电和±15kV空气放电而不损坏。这种级别的保护能力使其成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。
LESDA6V8W5T1G 主要用于需要高精度静电和瞬态电压保护的电子系统中。常见的应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、通信接口(如USB、HDMI、RS-232、以太网)、工业控制系统、消费类电子产品、医疗设备以及汽车电子模块。在这些应用中,LESDA6V8W5T1G 能够有效防止由于静电放电、雷击浪涌、电感负载开关等引起的电压瞬变,从而延长设备寿命并提高系统的整体可靠性。
PESD5V0S1BA, SMAJ6.8A, SMDJ6.8A