RF18N1R3A500CT是一款射频(RF)功率晶体管,主要用于无线通信、广播发射机以及其他高频应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有出色的射频性能和可靠性,适用于高频功率放大器的设计。其设计旨在提供高增益、高效率以及良好的线性度,满足现代通信系统对高性能射频组件的需求。
型号:RF18N1R3A500CT
类型:射频功率晶体管
封装形式:TO-247-3
工作频率范围:1.8 MHz 至 30 MHz
额定功率:125 W (典型值)
集电极最大电流:9 A
集电极-发射极击穿电压:500 V
增益带宽积:12 MHz
特征频率(fT):8 MHz
结温范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
RF18N1R3A500CT具有高输出功率能力,在1.8 MHz至30 MHz的频率范围内表现出优异的射频性能。
该晶体管具备低失真特性和高效率,使其成为需要高功率输出的应用的理想选择。
此外,该器件采用坚固耐用的结构设计,能够承受较高的电压和电流水平,并且具有优秀的热稳定性。
它还支持宽带操作,从而简化了射频功率放大器的设计过程。通过优化内部电路布局,RF18N1R3A500CT可以在各种负载条件下保持稳定的性能表现。
RF18N1R3A500CT广泛应用于高频功率放大器中,例如业余无线电设备、短波广播发射机和工业科学医疗(ISM)设备。
在无线通信基础设施中,该器件可用于基站功率放大器以增强信号覆盖范围。
此外,它还可用于测试与测量设备中的信号源和功率放大模块,以及航空电子设备中的射频组件。由于其宽广的工作频率范围和高功率处理能力,RF18N1R3A500CT非常适合多种射频功率应用场合。
RF18N1R3A500C, RF18N1R3A500D